什么是中国科学院潜伏期

中国科学院潜伏期是延迟，在时钟周期之间的时间内处理器请求数据从内存和时间的记忆，使第一幅数据可用来予以理解。 特别提款权-记忆体模组可能有中国科学院潜伏期1 ， 2 ，或3 。 复员-记忆体模组有中国科学院潜伏期为2或2.5 。 中国科学院潜伏期通常简称为中国科学院或外流现象。 举例来说，一名pc133模块可以标记cas2 ，中国科学院- 2 ，中国科学院= 2 ，氯，氯2 ，或氯= 2 ，所有这些都意味着模块有中国科学院潜伏期为2 。

对现行制度进行阅读记忆中的32位块，其中包括4个8位字节。 中国科学院潜伏期明，有多少个时钟周期才第一个字节，可以阅读。 之后，第一个字节是阅读，其余的字节改为无潜伏期，在一个时钟周期。 举例来说， cl3记忆交付第一个字节经过3个时钟周期与其他三个字节，在一个时钟周期。 这记忆，时机指定3-1-1-1 ，并表明， 6个时钟周期（ 3 +1 +1 +1 ） ，需要阅读所有四个字节。 cl2的记忆体采用了2-1-1-1的记忆时间，因此，行文所有四个字节，在5个时钟周期（ 2 +1 +1 +1 ） 。 同样，焊接记忆体采用了1-1-1-1的内存时间和仅需要4个时钟周期来完成阅读。

在此基础上，一个可能的结论是， cl2的记忆是16.7 ％速度比cl3记忆和焊接记忆是33.3 ％速度比cl3 ，这是一个重大的差别。 事实上，那差别只拥有单一的32位内容，而多数的内容是流媒体。 在流媒体内容，每32位阅读后，首先是表现在没有延时。 随着一系列的流媒体的32位内容每次上网的增加，相对的意义，中国科学院潜伏期间接引致的第一个字节变得越来越少。

举例来说，比较分流32字节阅读（八顺序的32位内容） cl3银两cl2的银两火焰的记忆。 与cl3记忆体，首32位阅读需要6个时钟周期。 以下每7个32位内容并不牵涉中国科学院潜伏期罚款等，仅需要4个时钟周期。 全部32个字节的阅读，因此需要一个共6 + （ 7 * 4 ）或34个时钟周期。 与cl2记忆体，首32位阅读需要5个时钟周期，并在接下来的每个7 32位内容又仅需要4个时钟周期，共计33个时钟周期。 与火焰的记忆，所有8个32位内容需要4个时钟周期，每个个，共计32个时钟周期。 在今（很现实的）例子， cl2的记忆，其实只有2.9 ％的速度（ 1 / 34 ） ，比cl3存储器，输入和输出焊接记忆，是只有5.9 ％ （ 2 / 34 ）速度比cl3 。

在实践中，低中国科学院潜伏期效益高的随机读取操作，但做的很少，以帮助流式传输（顺序）读取操作。 典型的电脑读取操作使用顺序读取操作沉重的，这意味着你可以预期，只有轻微改善，记忆体效能，如果你使用的记忆体较低中国科学院潜伏期评级。 这是值得付出多一点内存更快中国科学院潜伏期，但不支持的原因，你可能预期。 （见最后一点，在以下无序列表清单） 。

维持这些氯相关事宜记：

• 1 。 大部分的主机板可以使用记忆体的任何氯的时机，虽然有些主板可能不会利用减少延时。 少数主机板需要记忆的一个具体的氯时机。 例如，在主板上，需要cl2的pc133可能无法正常工作与cl3 pc133内存，在主板上，需要cl3 pc133内存可能无法正常工作与cl2 pc133 。 这是一个很好的理由用记忆体配置公用事业所提供的关键性和其他内存厂商，其中以中国科学院潜伏期问题，到时上市兼容记忆体模组。

• 2 。 一些主板允许混合记忆不同氯的时间，不过，这种速度较快的记忆几乎总是运行在中国科学院潜伏期最慢的模块安装。 有些主板的工作，妥善地与记忆不同氯时间，只要所有的记忆体安装了同样的氯时机，但行为不当如果你安装了混合单元的不同氯时间。 我们怀疑这些问题所造成的轻微电器分歧，如电容，但从来没有得到一个很好的解释，为什么这是正确的。 虽然问题与混合氯时间也非同一般，在我们的经验，我们建议不要混合氯的时间，基于这个原因。

• 3 。 大多数主板支持不同的氯时间配置最佳位置自动根据所报信息的记忆体模组本身，但有些需要设置内存时序手动在芯片配置节的bios设定。 如果你安装了"快速"单元，在一个系统中，值得一提的检查bios设定，以确保该系统配置为使用更快氯时间。

• 4 。 使用保守的记忆时间，可提高稳定性和可靠性的一个制度，在最低成本的角度减少的表现。 例如，如果一个系统pc133 cl2的记忆装置和撞车得太频密，你可以增加稳定性，即系统所配置的cmos设置使用cl3内存时序。 cl2的内存运行作为cl3是稳定得多，比cl2的内存运行作为cl2的，而且可能更稳定，比cl3内存运行作为cl3 。 表现击中会这么小，你甚至不会察觉不到，除非你来说记忆基准程序。