O DRAM de Rambus (RDRAM) é um projeto razoavelmente radical da memória encontrado em sistemas high-end do PC de 1999 a 2002 atrasados. Intel assinou um contrato com o Rambus em 1996 que asseguram o suportaria RDRAM em 2001. Após 2001, Intel continuou a suportar RDRAM em sistemas existentes, mas os chipsets e os cartões-matrizes novos deslocaram primeiramente a DDR SDRAM, e todos os chipsets e cartões-matrizes futuros de Intel estão sendo projetados para DDR convencional ou o padrão DDR2 mais novo. Os padrões de RDRAM tinham sido propostos que suportarão uns processadores mais rápidos com 2006; entretanto, sem compromisso de Intel ao desenvolvimento e à sustentação futuros do chipset, poucos sistemas RDRAM-baseados foram vendidos muito em 2003, e em quase nenhuns em seguida isso. devido à falta da sustentação da indústria dos fabricantes do chipset e do cartão-matriz, RDRAM muito provável não fará uma parte grande em PCES do futuro.
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Com RDRAM, Rambus desenvolvido o que é essencialmente uma barra-ônibus chip-to-chip da memória, com dispositivos especializados que se comunicam em relações de velocidade muito elevadas. O que pôde ser interessante a algum é que esta tecnologia estêve desenvolvida primeiramente para sistemas do jogo e fêz primeiramente popular pelo sistema do jogo de Nintendo 64, e foi usada subseqüentemente na Sony Playstation 2.
Os sistemas convencionais da memória que usam FPM/EDO ou SDRAM são sabidos como sistemas da largo-canaleta. Têm as canaletas da memória tão largas como a barra-ônibus de dados do processador, que para o Pentium e ascendentes são 64 bocados. O módulo inline duplo da memória (DIMM) é um dispositivo largo 64-bit, significando dados pode ser-lhe transferido 64 bocados (ou 8 bytes) em um momento.
RDRAMs, na outra mão, é dispositivos da estreito-canaleta. Transferem dados somente 16 bocados (2 bytes) em um momento (mais 2 bocados de paridade opcionais), mas em umas velocidades muito mais rápidas. Este é um deslocamento away de um mais paralelo a um projeto mais de série e é similar a o que está acontecendo com outras barras-ônibus em desenvolvimento no PC.
a única canaleta 16-bit RIMMs funcionou originalmente em 800MHz, assim que o throughput total é 800x2, ou 1.6GB por o segundo para um único channelthe mesmos que PC1600 DDR SDRAM. Os sistemas do Pentium 4 usaram tipicamente dois bancos simultaneamente, criando um projeto dual-channel capaz de 3.2GBps, que combina a velocidade da barra-ônibus dos processadores originais do Pentium 4. As características de projeto de RDRAM menos latência entre transferências porque todos funcionam synchronously em um sistema dado laços e em somente um sentido.
Umas versões mais novas de RIMM funcionam em 1,066MHz ou em 1,200MHz além à taxa 800MHz original e estão disponíveis nas versões single-channel, 16-bit as.well.as a múltiplo-canaleta, versões 32-bit para throughputs até 4.8GBps por o módulo.
Uma única canaleta da memória de Rambus pode suportar até 32 dispositivos individuais de RDRAM (as microplaquetas de RDRAM), e mais se os amortecedores forem usados. Cada microplaqueta individual é conectada em série ao seguinte em um pacote chamado um módulo inline da memória de Rambus (RIMM), mas todas as transferências da memória são feitas entre o controlador da memória e um único dispositivo, não entre dispositivos. As microplaquetas individuais de RDRAM são contidas em RIMMs, e uma única canaleta tem tipicamente três soquetes de RIMM. A barra-ônibus da memória de RDRAM é um trajeto contínuo através de cada dispositivo e módulo na barra-ônibus, com cada módulo que input e pinos da saída em extremidades opostas. Conseqüentemente, todos os soquetes de RIMM que não contêm um RIMM devem então ser enchidos com um módulo da continuidade para assegurar-se de que o trajeto esteja terminado. Os sinais que alcançam a extremidade da barra-ônibus são terminados no cartão-matriz.
Cada microplaqueta de RDRAM em um RIMM1600 opera-se essencialmente como um módulo autônomo que senta-se na canaleta 16-bit dos dados. Internamente, cada microplaqueta de RDRAM tem um núcleo que opere sobre uma barra-ônibus 128-bit larga rachada em oito bancos 16-bit que funcionam em 100MHz. Ou seja cada 10ns (100MHz), cada microplaqueta de RDRAM pode transferir 16 bytes a e do núcleo. Esta relação de alta velocidade internamente larga contudo externamente estreita é a chave a RDRAM. Outras melhorias ao projeto incluem a separação de sinais do controle e dos dados na barra-ônibus. As barras-ônibus independentes do controle e de endereço estão rachadas em dois grupos dos pinos para comandos da fileira e da coluna, quando os dados forem transferidos através da barra-ônibus de dados 2-byte larga. O pulso de disparo real da barra-ônibus da memória funciona em 400MHz; entretanto, os dados são transferidos nas bordas de queda e levantando-se do sinal do pulso de disparo, ou duas vezes por o pulso de pulso de disparo. A borda de queda é chamada um ciclo uniforme, e a borda levantando-se é chamada um ciclo impar. A sincronização completa da barra-ônibus da memória é conseguida emitindo pacotes dos dados que começam em um intervalo uniforme do ciclo. A espera total antes que transferência da memória possa começar (latência) é somente um ciclo, ou máximo 2.5ns.
A arquitetura suporta também o múltiplo, transações intercaladas simultâneas no múltiplo separa domínios de tempo. Conseqüentemente, antes que transferência termine mesmo, outros podem começar.
Uma outra característica importante de RDRAM é que é um sistema low-power da memória. O RIMMs ele mesmo assim como o funcionamento dos dispositivos de RDRAM em somente 2.5 volts e no sinal low-voltage do uso balança de 1.0V a 1.8V, um balanço somente do total 0.8V. RDRAMs tem também quatro modalidades do poder-para baixo e transições da lata automaticamente na modalidade à espera no fim de uma transação, que ofereça umas economias mais adicionais do poder.
Como discutidas, as microplaquetas de RDRAM são instaladas nos módulos chamados RIMMs. Um RIMM é similar no tamanho e no formulário físico a DIMMs atual, mas não é permutável. RIMMs é disponível em tamanhos do módulo até 1GB ou mais e pode ser adicionado a um sistema um de cada vez porque cada RIMM individual representa tècnica bancos múltiplos a um sistema. Têm que ser adicionados em pares se seus instrumentos RDRAM dual-channel e você do cartão-matriz estiverem usando RIMMs largo 16-bit.
Um controlador da memória de RDRAM com uma única canaleta de Rambus suporta até três módulos de RIMM de acordo com o projeto. Entretanto, a maioria de cartões-matrizes executam somente dois módulos por a canaleta para evitar problemas com ruído do sinal.
RIMMs está disponível em três classes preliminares da velocidade, com três versões diferentes da largura em cada classe. As versões 16-bit são funcionadas geralmente em um ambiente dual-channel, assim que têm que ser instaladas em pares, com cada dos pares em um jogo diferente dos soquetes. Cada jogo dos soquetes de RIMM em tais placas é uma canaleta. A versão 32-bit incorpora as canaletas múltiplas dentro de um único dispositivo e, como esta'n, é projetada ser instalada individualmente, eliminando a exigência para pairs.Note combinado que os nomes uma vez que-comuns para os módulos de RIMM, tais como PC800, foram substituídos pelos nomes que refletem a largura de faixa real do módulo para evitar a confusão com memória de DDR.
| Padrão Do Módulo | Formato Do Módulo | Tipo Da Microplaqueta | Velocidade De Pulso de disparo (Megahertz) | Ciclos por o pulso de disparo | Velocidade Da Barra-ônibus (MT/s) | Largura Da Barra-ônibus (Bytes) | Taxa De Transferência (MBps) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RIMM1200 | RIMM-16 | PC600 | 300 | 2 | 600 | 2 | 1.200 |
| RIMM1400 | RIMM-16 | PC700 | 350 | 2 | 700 | 2 | 1.400 |
| RIMM1600 | RIMM-16 | PC800 | 400 | 2 | 800 | 2 | 1.600 |
| RIMM2100 | RIMM-16 | PC1066 | 533 | 2 | 1.066 | 2 | 2.133 |
| RIMM2400 | RIMM-16 | PC1200 | 600 | 2 | 1.200 | 2 | 2.400 |
| RIMM3200 | RIMM-32 | PC800 | 400 | 2 | 800 | 4 | 3.200 |
| RIMM4200 | RIMM-32 | PC1066 | 533 | 2 | 1.066 | 4 | 4.266 |
| RIMM4800 | RIMM-32 | PC1200 | 600 | 2 | 1.200 | 4 | 4.800 |
| MT/s = Megatransfers por o segundo | |||||||
| MBps = megabytes por o segundo | |||||||
| Módulo inline da memória de RIMM = de Rambus | |||||||
Quando Intel jogou inicialmente seu peso atrás da memória de Rambus, pareceu destined ser uma coisa certa para o sucesso. Infelizmente, técnico atrasa nos chipsets fêz com que os cartões-matrizes suportando fossem atrasados significativamente, e com poucos sistemas para suportar o RIMMs, a maioria de fabricantes da memória foram para trás a fazer SDRAM ou deslocaram a DDR SDRAM preferivelmente. Isto causou o RIMMs disponível restante que está sendo manufaturado para ser fixado o preço originalmente três ou mais vezes que de um DIMM comparativamente feito sob medida. Mais recentemente o custo para RDRAM RIMMs veio para baixo aproximadamente àquele de DDR SDRAM, mas pelo tempo que aconteceu, Intel tinha deslocado todo o desenvolvimento futuro do chipset à memória DDR e DDR2 da sustentação somente.
Porque eu indiquei muitas vezes, uma das considerações principais para a memória é que o throughput da barra-ônibus da memória deve combinar o throughput da barra-ônibus do processador, e que a área RDRAM RIMMs estêve servida originalmente mais aos sistemas de processador iniciais do Pentium 4. Entretanto, com os aumentos na velocidade da barra-ônibus do processador do Pentium 4 de 400MHz a 533MHz e então a 800MHz e do advent dos chipsets que suportam a memória dual-channel de DDR, DDR e DDR2 são atualmente o mais melhor fósforo para as velocidades da barra-ônibus do processador central de Intel e de processadores de AMD. No short, o advent de uns chipsets mais novos que suportam DDR dual-channel em 2002 e DDR2 em 2004 rendeu DDR e DDR2 como as mais melhores escolhas para sistemas modernos, oferecendo o desempenho máximo da memória possível.
Nota
Infelizmente para os fabricantes de microplaqueta da memória, Rambus reivindicou as patentes que cobrem o padrão e os projetos de DDR SDRAM. Assim, não obstante se a manufatura SDRAM, DDR, ou RDRAM destas companhias, ele é a disputa de Rambus que estes fabricantes da memória devem pagar aos royalties da companhia. Diversos casos de corte são ongoing com as companhias challenging estas patentes, e muito estão montando no resultado. A maioria dos casos que foram à experimentação governaram assim distante de encontro a Rambus, essencialmente invalidating suas patentes e reivindicações em DDR e em SDRAM. Muitas apelações são pendentes, e será provavelmente uma estadia longa antes que as edições de patente estejam resolvidas.
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